絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)

prodline igbt

Bourns® BID 離散式 IGBT 系列結合了 MOS 柵極和雙極晶體管的技術,為高壓和大電流應用創造了合適的元件。Bourns® BID IGBT 系列採用先進的溝槽柵極場截止技術,提供更好的動態特性控制,同時降低集極-射極飽和電壓 (VCE(sat)) 和開關損耗。此外,這種結構增加了器件的穩健性並提供更低的熱阻 RTH,使其成為開關模式電源 (SMPS)、不間斷電源 (UPS)、感應加熱和功率因數校正 (PFC) 應用的理想解決方案。

Series Data Sheet Photo Package Feature VCE [V] IC
@ T=100 ˚C
[A]
Typ. VCE(sat)
@ Ic, Vge=15 V
[V]
IF
@ T=100 ˚C
[A]
Operating Junction Temperature MDS Design Files 工程 Buy Now
BIDD05N60T BIDD05N60T
TO-252 Medium speed 600 5 1.5 N/A –55 °C to +150 °C BIDD05N60T
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BIDW20N60T BIDW20N60T
TO-247 Medium speed 600 20 1.7 20 –55 °C to +150 °C BIDW20N60T
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BIDW30N60T BIDW30N60T
TO-247 Medium speed 600 30 1.65 30 –55 °C to +150 °C BIDW30N60T
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BIDW50N65T BIDW50N65T
TO-247 Medium speed 650 50 1.65 50 –55 °C to +150 °C BIDW50N65T
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BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3
TO-247N High speed 600 30 1.65 12 –55 °C to +150 °C BIDNW30N60H3
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